- United States BridgeLux (www.bridgelux.com) hat offiziell seine neueste F & E-Labor-Leistungen angekündigt: 135 Lumen pro Watt von Silizium-Substrat GaN-basierten LED.
GaN-auf-Silizium-LEDs Technologie wurde von der Industrie, die Fast-Tool für LED-Produktionskosten ist, war in den letzten Jahren reduziert wurde mit dem Forschungsschwerpunkt Richtung vieler Unternehmen.
BridgeLux relevanten verantwortliche Person sagte, es ist ein Modell Vertreter der branchenweit ersten kommerziellen Silizium-Substrat LED-Chip Leistungsgrenzen. 350mA Betriebsstrom von nur 2,9 Volt (oder 325 Volt bei 1 Ampere), die Spezifikationen für die 1,5 mm * 1,5 mm, eine Farbtemperatur von 4730K, Lichtausbeute zu 135lm / W.
Die LED ist auf einem 8-Zoll-Silizium-Wafern. Puri glaubt, dass die modernen und kostengünstigen Silizium-basierten Halbleiter-Fertigungsprozess können eine ausgereifte Technologie bereitzustellen, mit dem aktuellen 4-Zoll-Saphirwafern Mainstream Vergleich zu den Kosten von Silizium-Chips werden mit 75% zurückgehen.
Puri wies auch darauf hin, dass die derzeitigen großen Durchmesser Saphir und Siliciumcarbid teuer, schwieriger Prozess, sobald die Massenproduktion Substrate, und manchmal nicht weit verbreitet. LED Produktionskosten sind hoch jetzt nach Hause und Gewerbebauten gehemmt den breiten Einsatz von LED-Beleuchtung.
Darüber hinaus zeigen die Silizium-Substrat niedrige Durchlassspannung und ausgezeichnete Wärmebeständigkeit, was sie ideal für Hochleistungs-, Licht-Level-Anwendungen macht. 8-Zoll-Silizium-Epitaxie-Verfahren auch eine sehr gute Kompatibilität mit bestehenden automatisierten Linien Halbleiter werden. <SPAN title="" gd="不过，普瑞还是注意到“当大批量生产时，需要改进目前在使用的一些其他材料，以消除与硅衬底制程工艺的不兼容。”" hd="Allerdings wurde darauf hingewiesen, dass Puri " die zu das der um ist von Materialien , closure_uid_u8qhax="1290" Verwendung nicht kompatibel.?
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Silizium-Substrat, weil die Zukunft bereit ist, die LED-Industrie sehen, ist ein revolutionärer Prozess-Technologie in den letzten 5 Jahren, Puri, Chief Technology Officer Dr. Shi Difu hat leise das Team auf das Wachstum von GaN auf Silizium-Forschungs-und Entwicklungsprojekte zu konzentrieren.
Puri sagte sein Leistungsniveau GaN auf Silizium entspricht heute den modernsten führenden Saphir-basierten LED 12-24 Monate.
<SPAN title="" gd="“普瑞的成就是对我们在硅材料及外延工艺技术领先优势，”普瑞公司首席执行官Bill Watkins表示，“显着降低成本的硅基LED技术使将显着减少固态照明的前期资本投资" hd="" ? in die Lighting und wird unserer Silizium-Prozesstechnologie der von Materialien closure_uid_u8qhax="1293" Solid-State Upfront-Investitionen verringern deutlich LED-Technologie Silizium-basierten Kosten Senkung ?deutliche CEO, Watkins, Bill sagt Puri Führung? epitaktischen Errungenschaften>"Puri Errungenschaften unserer Materialien und epitaktischen Silizium-Prozesstechnologie Führung" Puri sagt Bill Watkins, CEO, "deutliche Senkung der Kosten von Silizium-basierten LED-Technologie wird deutlich verringern die Upfront-Investitionen in Solid-State Lighting <SPAN title="" gd="。在今后的短短两到三年，甚至对价格最敏感的市场，如商业和办公照明，住宅应用将快速无缝转化为固态照明。“" hd=". in den nächsten kurzen Zeitraum von zwei vor drei Jahren auch die preissensiblen Märkten wie Handels-und Bürobeleuchtung, Wohn-Applikationen schnell und nahtlos in die Festkörper-Beleuchtung. " ? closure_uid_u8qhax="1294">. in den nächsten kurzen Zeitraum von zwei vor drei Jahren auch die preissensiblen Märkten wie Handels-und Bürobeleuchtung, Wohn-Applikationen schnell und nahtlos in die Festkörper-Beleuchtung. "
