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Siltronic AG beigetreten IMEC-Forscher Silizium-basierten GaN

Zeichen vergroessen  Zeichen verkleinern Date:2011-07-05   Ansichten:24

Siltronic Siltronic AG und der belgischen Forschungsinstitut IMEC Mikroelektronik zu einer Einigung, wird die bilaterale Zusammenarbeit IMEC GaN Industry Alliance Program (IIAP) Teil des Zwecks und der Macht für die nächste Generation Halbleiter-LED kann original bieten 200 mm Silizium-Wafern von GaN-Schicht.

GaN ist ein sehr vielversprechendes Material, hat es eine gute elektronische Mobilität, hohe Durchbruchspannung und eine gute Wärmeleitfähigkeit, geeignet für optische Wissenschaft und Herstellung von Leistungshalbleiter Originale, wie Windturbinen, Solaranlagen, Elektrofahrzeuge und energiesparenden Küchengeräten. Um jedoch das Wachstum von großformatigen Siliziumchip GaN / (Al) GaN erreichen Epitaxieschicht, muss GaN-Technologie weiter verbessert, und der Bedarf an billigen und effizienten Produktionsmethoden.

Neben Siltronic Gesellschaft, es gibt viele andere Spieler auf diese multinationalen Forschungs-Plattform beitreten, wie integrierte Gerätehersteller, Gießereien, Silicium-Verbindungen und die Siliziumsubstratmaterial Hersteller. IMEC in Belgien werden sie Bodenausrüstung und technischen Ressourcen Dove Arbeit zu verwenden, kann diese Zusammenarbeit sicherzustellen, dass alle Teilnehmer in dieser überbetrieblichen Zusammenarbeit.
 
 
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