Langwellige InGaN-auf-Si-LED-Geräte zum ersten Mal bestätigt
Datum:2011-07-18 11:26
ilicht-Spektrum angepasst werden knnen. Das Unternehmen erklrte, InGaN-auf-Si-LED mit hoher Intensitt langwellige, niedrigem Stromverbrauch und niedrigen Kosten Vorteile der Wirtschaft, den nchsten 2-3 Jahren, die Technologie 200 mm Silizium-Substrat Produktion von InGaN-auf-Si erreichen knnen LED-Technik, die wirtschaftlichen Aussichten.
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