Taiwanesischen Wissenschaftler entwickeln hocheffiziente Silizium LED Heterostruktur
Datum:2010-11-24 16:04
DC-Strom in das Licht der verschiedenen Leistungsklassen. Diese Komponente bei Raumtemperatur externe Quanteneffizienz so hoch wie 4,3 × 10-4, ist, wenn die Bulk-Silizium-Substrat 100 Mal, Spekulationen über die interne Quanteneffizienz von 10-3, bricht ein indirekter Halbleiter Band Einschrnkungen.Es ist erwhnenswert, dass diese Komponente von Prozess-und Struktur mit der aktuellen VLSI-Technologie vollstndig kompatibel ist, knnen direkt integrierten Schaltungen werden, die in der Gegenwart.
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