Erfolgreiche Entwicklung von amorphen Silizium-Germanium-Film Pollock
Datum:2011-09-04 20:54
n den oberen und unteren machte sehr unterschiedlich sind, was den Wirkungsgrad des Gertes auf ein inakzeptables Niveau. Germane fr den hohen Preis im Einzelzimmer Multi-Chip-parallelen Modus PECVD-Anlagen eignet sich ideal fr kostengnstige industrielle Anlagen, in denen die Qualitt der Gerte aus amorphem Silizium auf einem Germanium-Film aufgebracht ist sehr vielversprechend. In den letzten Jahren hat Bullock in diesem Bereich der Forschung und Entwicklung sowie Produktion, jetzt in Multi-Chip
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