Auf der Grundlage von SiC Substrate für high-Power-LED auf der Grundlage von GaN-Fertigungstechnik
Datum:2011-09-19 13:36
Elf-Five 863 plant Halbleiter-Lichttechnik Projektuntersttzung, Hua Photoelektronik, Ltd nehmen basierend auf SiC-Substrat fr GaN High-Power LED-Technologie-basierte Programm bedeutende machte Durchbrche hat vor kurzem die Akzeptanz.
Das Thema konzentriert sich auf die Keimbildung Schicht Wachstum der SiC-Substrat, Vorbereitung des Untergrunds, Entfernung, Spiegelflche Aufrauhen Vorbereitung, ohmsche Elektrode und Schlsseltechnologien wie Chip Ausschneiden, in EBL Al Zusammensetzung Farbverlau
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