Auf der Grundlage von SiC Substrate für high-Power-LED auf der Grundlage von GaN-Fertigungstechnik
Datum:2011-09-19 13:36
f, asymmetrische Quanten-Barriere, Polarisation Technologien einen Durchbruch und Innovation zu erreichen.Projektforschung und Entwicklung von SiC-basierte High-Power LED-Chip, optische Ausgangsleistung bis zu sollen, erreichen nach der verpackten weien Licht Lichtausbeute 109lm/w.Zur Zeit, die Themen Br-Einheit verfgt ber die LED-chip ist eine Kleinserie, Produktqualitt ist stabil.
Reibungslose Implementierung dieser Forschung wird weiter frdern die Entwicklung der Halbleitertechnologie Beleuc
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