LED-Wafer-Prozess
Datum:2011-06-07 17:07
Staat:ungeloest
Frage:admin
t einer stark oxidierenden Fhigkeit, nach der Metalloxid kann in Reinigungsflssigkeit gelst werden, und Oxidation von organischen Schadstoffen in CO2 und H2O. SPM kann mit einem Silizium-Wafer Reinigung der Oberflche von organischen Verunreinigungen und einige Metalle entfernt werden. Dieser Prozess wird erzeugen Abflle Schwefelsurenebel und Schwefelsure.
DHF-Reinigung: mit bestimmten Konzentration von Flusssure zu entfernen die natrliche Oxidschicht Siliziumoberflche, und an das Metall in der n
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