GTAT erkämpfte den Photovoltaik Boom LED Bereich
Datum:2011-11-23 15:27
ntwicklung und Ruan Jun, stellvertretender Generalsekretr der Industriegewerkschaft, sagte, China LED Siliziumsubstraten mit industriellen Kapazitten, sondern in das Substrat Sapphire wafer Material nicht gengend Produktionskapazitten, um die zweite Hlfte von 2010 die Regierung kndigte Plne an, investiert $ 30 Milliarden auf Saphir Substrat, Kapazittsplanung ist 12 Millionen.
Investitionen berhitzung der solar PV in China und Politik bereinigt betrug, GTAT Vertrieb in China war auch betroff
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