LED Verpackungstechnik
Datum:2011-06-30 14:52
Staat:ungeloest
Frage:admin
tladungserscheinungen auftritt. Sapphire Blue-Chip-Chip-positiven und negativen Elektroden werden ber dem Raum befindet klein, fr InGaN / AlGaN / GaN Doppel Heterobergang ist InGaN aktive Schicht nur zehn Nanometern, die elektrostatische Kapazitt des kleinen, leicht durch statische Elektrizitt Zusammenbruch, der Ausfall des Gertes. GaN-basierte LED und herkmmlichen LED, antistatisch Armen seiner deutlichen Nachteil haben statische Elektrizitt Fehler einen Einfluss auf die Rate der qualifi
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