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AMEC ausgestellt für 22-nm-Generation und unter Chip-Verarbeitung Ätzanlagen
Datum:2011-07-12 17:24
Staat:ungeloest
Frage:admin
dass jeder Wafer kann unabhngig von der Reaktion Umfeld tzverfahren;


5, von der Unterseite der Radiofrequenz-Energie fr eine stabile, Niederspannungs-, High-Density, dem Grad der Plasma, um die Integritt von low-k-Materialien zu erhalten geben;


6, mit unabhngigen Rechte an geistigem Eigentum, mit einem schnellen, stabilen und zuverlssigen Self-Tuning-Funktionen der RF passendes Gert Isolation;


7, der Reaktionskammer Wand Auswahl von hoher Reinheit, Plasma-resistente spezielle Materialien,
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