Einführung der LED epitaktischen Wafern von Wissen
Datum:2011-10-19 12:02
Staat:ungeloest
Frage:wangshijuan
rteebene und ein p-Typ-doping-Problem nicht gelst, passen die Gerte fr ZnO-basierte Halbleitermaterialien nicht entwickelt wurden.
Saphir:
Hufigste Substrat fr GaN Wachstum ist Al2O3. den Vorteil, gute chemische Stabilitt, sichtbares Licht, preiswert, relativ ausgereifte Fertigungstechnik nicht aufnehmen. Wrmeleitfhigkeit ist schlecht, aber nicht in die Gerte kleine aktuelle Arbeit eindeutig unzureichend, ausgesetzt aber die Fragen sehr prominent unter hoch aktuelle Power-Gerte.
Beste Antwort:
noch nicht vorhanden
[Alle Antworten(0)]
[Ich habe zu beantworten]
16/21 Weiter Zurueck Home Letzte
Rückkehr
auffrischen
WAP Home
Web-Version
Login
06/25 11:38