Einführung der LED epitaktischen Wafern von Wissen
Datum:2011-10-19 12:02
Staat:ungeloest
Frage:wangshijuan
der einzelnen Kristall Si Film auf einer dnnen Schicht von einzelnen Kristall Si hinterlegt. Allgemeine Dicke von Epitaxie-Schichten von 2 ~ 20 m und Substrat Si 610 Dicke m (Durchmesser von 150 mm Tabletten und 725 m (200 mm).
Epitaktischen Ablagerung knnen (auch) mehrere Stcke zu einem Zeitpunkt, oder Chip. Monolithische Reaktoren knnen es sich um beste Qualitt epitaktischen Schicht (Dicke der gute, einheitliche Widerstandskraft, niedrige defekt); diese Wafer fr 150 mm Grenzen Produkte
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