Experten erklären: Plasma etch Technologie der Vorbereitung von high-Brightness LED
Datum:2011-11-01 14:53
Staat:ungeloest
Frage:liyatong
t jetzt verschwinden, bevor er groe Batches verarbeiten kann. Als Wafergren von 2 britische Zoll bis 4 dann 6 Zoll nach oben Migration und das Problem auch gelst. GaN etch wichtigsten Einsatzbereich ist leicht und hohe Seitenverhltnis Strukturen in Kontakt, die Radierung Radierung.
4, Licht-Kontakt-Radierung
Wenn ein Kontakt in der, It getzt ist unbedingt auf Halbleiter-Plasma Schaden durch die kleinste oder Kontaktwiderstand erhhen drfte. Radierung Prozess erfordert sorgfltige Optim
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