Experten erklären: Plasma etch Technologie der Vorbereitung von high-Brightness LED
Datum:2011-11-01 14:53
Staat:ungeloest
Frage:liyatong
ierung um Durchsatz zu maximieren und gleichzeitig die Leistung des Gerts. In der Regel Oberflche Radierung von hoher Qualitt glatte Oberflche, wie in Abbildung 2 dargestellt.
Nicht optimierte tzvorgang GaN Radierung von Dislokation, kann wiederum eine Erhhung in Lochfra an der Oberflche und der Kontaktwiderstand verursachen. Ebenso ist PR der Mask-Option in diesem Schritt, weil es der einfachste Weg, um zu behandeln ist. Angeblich knnen aufgrund der typischen Batch der Etch-Rate bis zu 14
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