Einführung der LED epitaktischen Wafern von Wissen
Datum:2011-11-03 13:50
Staat:ungeloest
Frage:ergongda
iger Entfernung von Industrialisierung.
Gan:
Fr GaN GaN Einkristall die idealste Trgermaterialien ist, kann epitaktischen Film Crystal erheblich verbessern die Qualitt, reduzieren die Dislokation-Dichte, die Verbesserung der Arbeitsleben, Effizienz verbessern, verbessern Gert Stromdichte. Vorbereitung der GaN Einkristall sehr schwierig aber, bis jetzt keine wirksamen Manahmen.
Zinkoxid:
ZnO knnte Kandidaten fr GaN epitaktischen Substrat, da beide eine sehr auffallende hnl
Beste Antwort:
noch nicht vorhanden
[Alle Antworten(0)]
[Ich habe zu beantworten]
14/22 Weiter Zurueck Home Letzte
Rückkehr
auffrischen
WAP Home
Web-Version
Login
06/25 19:40