Einführung der LED epitaktischen Wafern von Wissen
Datum:2011-11-03 13:50
Staat:ungeloest
Frage:ergongda
erielle Qualitt entspricht nicht der Gerteebene und ein p-Typ-doping-Problem nicht gelst, passen die Gerte fr ZnO-basierte Halbleitermaterialien nicht entwickelt wurden.
Saphir:
Hufigste Substrat fr GaN Wachstum ist Al2O3. den Vorteil, gute chemische Stabilitt, sichtbares Licht, preiswert, relativ ausgereifte Fertigungstechnik nicht aufnehmen. Wrmeleitfhigkeit ist schlecht, aber nicht in die Gerte kleine aktuelle Arbeit eindeutig unzureichend, ausgesetzt aber die Fragen sehr prominen
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