Plasma Radierung von High-Brightness LED-Programm
Datum:2011-11-29 16:50
Staat:ungeloest
Frage:ningcuidi
uss ein einziger Batch an eine groe Anzahl von Wafer Radierung. Spt in den neunziger Jahren des zwanzigsten Jahrhunderts Plasma etch Chargengrsse 4 * 2 Zoll 55 * 2 Zoll Wafer bis heute oder 3 * 8 Zoll, seine Anziehungskraft, die Frage ist jetzt verschwinden bevor er groe Batches verarbeiten kann. Mit Wafergren von 2 Zoll bis 4 Englisch gefolgt von einer nach oben 6-Zoll-Migration wurde dieses Problem behoben. GaN etch wichtigsten Einsatzbereich ist leicht und hohe Seitenverhltnis Strukturen in K
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