National Semiconductor stellt den industrieweit ersten Enhanced GaN Power FET für die 100V Halbbrück
Datum:2011-06-22 16:30
te (PCB)-Bereich.
Brick Power-Modul und die Kommunikations-Infrastruktur Konstrukteure mit minimalen Abmessungen bentigt, um eine hhere Effizienz zu erreichen. Mit dem Standard-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), verglichen mit einem niedrig wie Widerstand (Rdson), Gate-Ladung (Qg) und die geringe Gre aufweisen, aber die GaN-FET eine hhere Effizienz und Leistungsdichte, aber sicher zu fahren diese Gerte auch vor groen neuen Herausforderungen. National Semiconductor L
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