National Semiconductor stellt den industrieweit ersten Enhanced GaN Power FET für die 100V Halbbrück
Datum:2011-06-22 16:30
nweit besten Leistungsdichte und Effizienz.
Pu Yi Power Conversion Corporation (Efficient Power Conversion Corporation) Mitbegrnder und CEO Alex Lidow sagte:. National Semiconductor ist LM5113-Brcken-Treiber fr Entwickler durch einfachere Gestaltung Egan FETs Performance zu spielen helfen LM5113 stark reduziert die Anzahl der Komponenten, und unsere EGAN FETs in Verbindung mit verwendet werden, deutlich reduzieren kann die PCB-Bereich, eine hhere Leistungsdichte Ebenen, whrend das Desig
4/7 Weiter Zurueck Home Letzte
Rückkehr
auffrischen
WAP Home
Web-Version
Login
06/26 22:55