National Semiconductor stellt den industrieweit ersten Enhanced GaN Power FET für die 100V Halbbrück
Datum:2011-06-22 16:30
n auf den Gegenwert MOSFET basiert, kann dies nicht tun.
LM5113 Brcke der technischen Merkmale des Antriebs
National Semiconductor LM5113 ist eine erweiterte GaN-FET fr die 100V-Bridge-Treiber. Das Gert nutzt proprietre Technologie, um High-Side-Floating-Bootstrap-Kondensator Spannung ber 5,25 V, um das Laufwerk erweitert GaN Power FET zu optimieren, und wird nicht ber die maximale Gate - Source-Spannung. LM5113 hat auch eine separate sink / source-Ausgang fr flexible on-off-Intensitt
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