National Semiconductor stellt den industrieweit ersten Enhanced GaN Power FET für die 100V Halbbrück
Datum:2011-06-22 16:30
und Kraft. 0,5 Ohm niederohmigen Pfad fr den low-down Schwellenspannung Enhancement-Typ GaN Power FET bietet eine schnelle, zuverlssige turn-off-Mechanismus zur Maximierung der Effizienz von Hochfrequenz-Netzteil-Design. LM5113 integriert einen High-Side-Bootstrap-Diode, eine weitere Reduzierung der PCB-Bereich. LM5113 auch fr die High-Side-und Low-Side-Treiber bietet einen separaten Logik-Eingang, die sich flexibel in einer Vielzahl von isolierten und nicht isolierten Stromversorgung
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