National Semiconductor stellt den industrieweit ersten Enhanced GaN Power FET für die 100V Halbbrück
Datum:2011-06-22 16:30
Topologie verwendet werden kann.
Verpackung, Preis und Verfgbarkeit
National Semiconductor LM5113 10-poligen, 4mm x 4mm LLP-Gehuse. Kufe werden 1.000-er Stckzahlen bei 1,65 $ festgesetzt. Erhltlich fr die Probenahme jetzt und wird im September Gewicht hergestellt werden.
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