High-Power LED-Beleuchtung-Klasse Verpackungstechnik
Datum:2011-05-27 00:06
Staat:ungeloest
Frage:admin
ntakt und zurck Reflexion, und dann weg Radierung von Maske P-Typ-Layer-und Multi-Quantum-Well aktive Schicht ausgewhlt, Aussetzen der N-leitende Schicht, durch Ablagerung, Radierung auf N-Typ ohmschen Kontakt zu bilden, ist die Chipgre 1mm x 1mm, P-Typ ohmscher Kontakt ist quadratisch, N-Typ-ohmscher Kontakt in einem Kamm, wrde dies reduzieren den aktuellen Ausbau der Strecke, um die Ausbreitung zu minimieren, dann AlGaInN Metall Flip-Chip-Ltkontakthgel dass Antistatik-Schutz-Dioden (ESD) hat S
Beste Antwort:
noch nicht vorhanden
[Alle Antworten(0)]
[Ich habe zu beantworten]
4/40 Weiter Zurueck Home Letzte
Rückkehr
auffrischen
WAP Home
Web-Version
Login
06/25 15:36