Siltronic AG beigetreten IMEC-Forscher Silizium-basierten GaN
Datum:2011-07-05 14:27
Siltronic Siltronic AG und der belgischen Forschungsinstitut IMEC Mikroelektronik zu einer Einigung, wird die bilaterale Zusammenarbeit IMEC GaN Industry Alliance Program (IIAP) Teil des Zwecks und der Macht fr die nchste Generation Halbleiter-LED kann original bieten 200 mm Silizium-Wafern von GaN-Schicht.
GaN ist ein sehr vielversprechendes Material, hat es eine gute elektronische Mobilitt, hohe Durchbruchspannung und eine gute Wrmeleitfhigkeit, geeignet fr optische Wissenschaft und He
1/3 Weiter Zurueck Home Letzte
Rückkehr
auffrischen
WAP Home
Web-Version
Login
06/27 20:33