Siltronic AG beigetreten IMEC-Forscher Silizium-basierten GaN
Datum:2011-07-05 14:27
rstellung von Leistungshalbleiter Originale, wie Windturbinen, Solaranlagen, Elektrofahrzeuge und energiesparenden Kchengerten. Um jedoch das Wachstum von groformatigen Siliziumchip GaN / (Al) GaN erreichen Epitaxieschicht, muss GaN-Technologie weiter verbessert, und der Bedarf an billigen und effizienten Produktionsmethoden.
Neben Siltronic Gesellschaft, es gibt viele andere Spieler auf diese multinationalen Forschungs-Plattform beitreten, wie integrierte Gertehersteller, Gieereien, Silicium-
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